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双瓷片耦合陶瓷电容器制造技术

日期:2019-06-07   关注热度:℃  所属栏目: 工程案例

本设法做到专利证试图了一种耦合陶瓷电容。,包罗彼此的一致且双层轧制设置的两个瓷片、涂布在所述瓷片左右分界线的银膜电极、设置在所述两个瓷片经过的电极衔接件那么设置在所述两个瓷片外侧的电极航空站。电极衔接件为与所述瓷片帮派设置且用于将所述两个瓷片的银膜电极电衔接的拍翅。气缸直径为d。,瓷片的直径为D,执政的,2/3D<d<D。专利证的耦合陶瓷电容的电极衔接器,因圆筒的直径更大,处理了现存的电容的中央的衔接件与瓷片宽打期限环氧树脂缩小应力差的成绩。

The invention provides a coupling ceramic capacitor, which comprises two ceramic plates arranged in parallel and in pairs, a silver film electrode coated on the upper and lower surfaces of the ceramic plates, an electrode connector arranged between the two ceramic plates, and an electric terminal arranged on the outer side of the two ceramic 盘子。 The electrode connector is a cylinder coaxially arranged with the ceramic sheet and used for electrically connecting the silver film electrodes of the two ceramic 被单。 The diameter of cylinder is d, and the diameter of porcelain sheet is D, of which 2/3D is less than d < D. The electrode connector of the coupling ceramic capacitor of the present invention is a large diameter cylinder structure. Because the diameter of the cylinder is large, the problem of the difference of shrinkage stress between the central connector of the existing capacitor and the epoxy resin on the outer edge of the ceramic sheet is solved.

【技术进行程度总结】
双瓷片耦合陶瓷电容
专利证关涉一种耦合陶瓷电容。,尤其地关涉一种双瓷片耦合陶瓷电容。
技术绍介
耦合陶瓷电容是一种用于高矛盾电器的合身的。,可用于新鲜的显示。、电容电位计和名列前茅放电灵敏元件试图检测用枪打猎,如此。当耦合陶瓷电容接在高矛盾导管上时,指示方向支撑物高矛盾,隔热的击穿风险。进线电报、电容电位计、名列前茅放电灵敏元件和剩余相称机器属于附件EQUI。用户召唤辅佐装备不情感承保运转,如此,耦合陶瓷电容及其封装的终极乘积,召唤交流增压、名列前茅放电等准则应高于首要装备,担保获得零碎常客运转。图1为单瓷片耦合陶瓷电容,该电容包罗作为普通的的瓷片、镀在瓷片两正确的面上的银膜电极那么衔接在银膜电极两端的电极航空站。瓷片是耦合陶瓷电容的首要隔热的体。通常,单瓷片耦合陶瓷电容那就够了心甘情愿的行标所召唤的交流增压和局放的召唤,无论如何一旦瓷片或瓷片四周的用于封装的环氧树脂被过压击穿,电容变为毛病源,可能性招致短路变乱。采取两片瓷片并联,它可以举起电容的阻力。。图2-6为现存的的双瓷片耦合陶瓷电容的和解示意图。详细地,双瓷片耦合陶瓷电容的电极衔接方法有:一称呼-两个瓷片指示方向焊而成(图2);软衔接式-两个瓷片电极经过焊有一转铜丝(图3);杠铃式(图4);罩极/铜柱式-瓷片镶在罩极式电极的浅坑内,两个瓷片的罩极式电极由中央的铜柱衔接(图5);罩极/直筒式-瓷片镶在罩极式电极的浅坑内,两个瓷片的罩极式电极以宽打期限直径衔接(图6)。灵敏元件是由电容封装的乘积。。详细地,灵敏元件是集中:稳固地集中或指向:电容和高频检测元件,那么将逐渐融合环氧树脂注射模仿。由树脂制成。环氧树脂凝固时缩小,电极衔接器(软衔接器)、杠铃式、罩极/铜柱式)外的环氧树脂厚度远比瓷片端外厚,缩小差,其应力差可使瓷片端的环氧树脂发作琐碎的砍。瓷片端是电力线紧密的而且急剧转过身来的部位,砍使遭受名列前茅放电。集成电容高高压电极留间隔,外电场高高压端经过的间隔,轻易闪络。软衔接式电容需求将瓷片使分裂集中:稳固地集中或指向:在灵敏元件模仿的两端,高尚的和直径乘客名额有限制的的灵敏元件,高频检测单元应集中:稳固地集中或指向:在模仿根除。,无法将瓷片集中:稳固地集中或指向:在根除;同时铜丝与瓷片端的环氧树脂缩小应力差最大,轻易发作名列前茅放电。杠铃式电容中央的铜柱部位与瓷片端的环氧树脂缩小应力差很大,轻易发作名列前茅放电。叠置盖电极的外端和,两种环氧树脂经过的缩小应力差很大,可是,但不熟练的发作名列前茅放电。。缺陷是设想电力机械中止任务,当灵敏元件的产生轻松氛围的温度下方的-20 C或以下时,环氧树脂、铜、瓷片三者的线胀性差会将环氧树脂名列前茅撕开的,当电源重行刺激时会发作名列前茅放电。。罩极/专栏电容的衔接相称(专栏)可以是,它也可以相称铲。,用弩箭衔接。盖极/拍翅电容不注意软衔接典型、带刺和单调的生活杆/铜柱四周环氧树脂厚度大于正常,还处理了瓷片端电场畸变的成绩,但焊面积大。、直筒障碍焊时另加高温使平坦传送到整体焊面(在高温传送不使平坦的成绩),在大约零件中招致焊料和银膜过量的溶化,有些相称太低了。,瓷片与电极经过轻易降落。如此,需求一种时新的耦合陶瓷电容。,以处理中央的衔接件与瓷片宽打期限环氧树脂缩小应力差大、瓷片端名列前茅放电、焊做事方法做成某事不使平坦导热性成绩,举起耦合陶瓷电容的耐电性和耐候性。
在流行中的技术进行的熟虑
处理上述的技术成绩,专利证试图了一种耦合陶瓷电容。,包罗彼此的一致且双层轧制设置的两个瓷片、涂布在瓷片左右分界线的银膜电极、设置在两个瓷片经过的电极衔接件那么设置在两个瓷片外侧的电极航空站;执政的,电极衔接件为与瓷片帮派设置且用于将两个瓷片的银膜电极电衔接的拍翅,气缸直径为d。,瓷片的直径为D,执政的,2/3D<d<D。偏爱地,拍翅的外壁到瓷片宽打期限的间隔为L=2mm-4mm,更最佳化地,拍翅的外壁到瓷片宽打期限的间隔为L=3mm。偏爱地,这时拍翅是黄铜的。。自然,筒体织物也可用作其它导电织物。。偏爱地,筒身体的厚d2=1mm-3mm。更最佳化地,筒身体的厚d2=2mm。在这种情况下,因气缸壁比力薄、完整揭露的焊名列前茅,保温装置焊时的暖调的使平坦性,焊团优于其它衔接方法。,合格率明显举起。偏爱地,专栏端面的外侧组织第一带圆形的斜面。。偏爱地,圆角半径R或45度斜面。更最佳化地,圆角半径R或45度斜面1mm。在这种情况下,拍翅可以以端面宽1mm的打电话给与瓷片上的银膜电极联系,缩减焊面积、锡银熔合的简易把持。偏爱地,气缸壁上有几个的使平坦队列的孔。。筒壁开孔可以废止筒与瓷片经过焊缝折断,环氧树脂可采取取消倒工业技术馅。。假设环氧树脂不克不及完整包装气缸内幕的的余地,因筒体内的等电位,不熟练的有名列前茅放电。。可推理局放灵敏元件的登上方法(诞、附属、类别)至灵敏元件分量、切断力和震动召唤,作为主人两种环氧树脂馅工业技术,选择第一圆筒作为停止营业圆筒或翻开的明了圆筒。偏爱地,这时洞的露面是方格的。、正方形、用钻石装饰、多角形、长圆和圆经过。开孔镗孔直径、应废止名列前茅和密度在EP和谐发作气泡或放行证。、环氧液位兴起到筒的顶时忘带放行证层、废止洞。偏爱地,两边孔的轴不登记。,左右两端的孔与端面相切。。偏爱地,筒体用M-T20焊膏焊在银膜电极上。。更,所述瓷片的侧壁上组织有环状用凹刨做的槽。用凹刨做的槽的功能是添加从瓷片上面银膜到上面银膜经过的爬电间隔。当剩余相称决定因素相当时,爬电间隔越大,名列前茅放电及增压准则较高。本专利证的双瓷片耦合陶瓷电容可以敷用在10kV矛盾分阶段的局放灵敏元件上。取慢着三项效果。:率先,承保接防取慢着溃。。将单陶瓷反而双陶瓷,少许陶瓷片的击穿取消法令,不情感首要装备的承保稳固运转。,动力一向在尽力的N-1承保标准。二是举起灵敏元件的阻力。。第三,举起了灵敏元件的耐候性。。比如,奇纳境内西南、奇纳西北地区的使受冻直减率可以降到-30摄氏温度。,用本专利证的电容封装的局放灵敏元件可限度-30℃~+85℃高高温成环,容纳我国使受冻泊车高温、大梁高温叠加区温升产生轻松氛围的令人作呕地。随附的设计图阐明专利证将被。执政的:图1为现存的技术做成某事单瓷片电容的和解示意图;图2是现存的技术中集成电容的示意图。;图3是软衔接电容和解示意图;图4是事先第一杠铃衔接电容的示意图。;图5是盖杆/铜柱衔接电容的示意图;图6是盖杆/直筒衔接电容的示意图;图7是大直径外壳和解示意图。;图8是大直径喉道和解示意图。;图9是大直径滚筒的三维吼叫图。在设计图中,同样看待相称运用同样看待的指的是数字。设计图缺点按实践使成比例绘制的。。附图基地防空地面警备系统阐明:100-瓷片;101-用凹刨做的槽;200银膜电极;300-电极衔接件;301-孔;400-电极航空站;R缸端凹槽;D1-拍翅与瓷片经过的焊宽度;D2筒身体的厚;L-拍翅外壁到瓷片宽打期限的间隔;D缸直径;D-瓷片的直径。专利证将额外的解说与ACC关系到的成绩。。如图7和9所示,本专利证试图了一种双瓷片耦合陶瓷电容,该双瓷片耦合陶瓷电容包罗彼此的一致且双层轧制设置的两个瓷片100、涂布在瓷片100左右分界线的银膜电极200、设置在两个瓷片100之本文档出生于技高网
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【技术防守点】
1。耦合陶瓷电容,包罗彼此的一致且双层轧制设置的两个瓷片、涂布在所述瓷片左右分界线的银膜电极、设置在所述两个瓷片经过的电极衔接件那么设置在所述两个瓷片外侧的电极航空站;其特点躺在,所述电极衔接件为与所述瓷片帮派设置且用于将所述两个瓷片的银膜电极电衔接的拍翅,所述气缸直径为d。,所述瓷片的直径为D,执政的,2/3D<d<D。

【技术特点总结】
1。耦合陶瓷电容,包罗彼此的一致且双层轧制设置的两个瓷片、涂布在所述瓷片左右分界线的银膜电极、设置在所述两个瓷片经过的电极衔接件那么设置在所述两个瓷片外侧的电极航空站;其特点躺在,所述电极衔接件为与所述瓷片帮派设置且用于将所述两个瓷片的银膜电极电衔接的拍翅,所述气缸直径为d。,所述瓷片的直径为D,执政的,2/3D<d<D。2。图1所示的耦合陶瓷电容,其特点躺在,所述拍翅的外壁到所述瓷片宽打期限的间隔为L=2mm-4mm。三。图1所示的耦合陶瓷电容,其特点躺在,所述这时拍翅是黄铜的。。4。图1所示的耦合陶瓷电容,其特点躺在,所述筒身体的厚d2=1mm-3mm。5。推理右手召唤4所述的耦合陶瓷电容。

【专利证属性】
技术研究与开发参谋:丁振,陈章生,吴敏清,
涂(专利权)人:上海方能自动化零碎技术乘客名额有限制的公司,
典型:设法做到
全国的省市:上海,31