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双瓷片耦合陶瓷电容器制造技术

日期:2019-06-07   关注热度:℃  所属栏目: 公司新闻

本创造专利出价了一种耦合陶瓷电容。,包罗互相一致且成对的设置的两个瓷片、涂布在所述瓷片左右外观的银膜电极、设置在所述两个瓷片暗射中靶子电极衔接件连同设置在所述两个瓷片外侧的电极柱。电极衔接件为与所述瓷片帮派设置且用于将所述两个瓷片的银膜电极电衔接的桶。气缸直径为d。,瓷片的直径为D,进入,2/3D<d<D。专利的耦合陶瓷电容的电极衔接器,由于圆筒的直径更大,处理了目前的电容的中部衔接件与瓷片宽打期限环氧树脂契约应力差的成绩。

The invention provides a coupling ceramic capacitor, which comprises two ceramic plates arranged in parallel and in pairs, a silver film electrode coated on the upper and lower surfaces of the ceramic plates, an electrode connector arranged between the two ceramic plates, and an electric terminal arranged on the outer side of the two ceramic 盘子。 The electrode connector is a cylinder coaxially arranged with the ceramic sheet and used for electrically connecting the silver film electrodes of the two ceramic 被单。 The diameter of cylinder is d, and the diameter of porcelain sheet is D, of which 2/3D is less than d < D. The electrode connector of the coupling ceramic capacitor of the present invention is a large diameter cylinder structure. Because the diameter of the cylinder is large, the problem of the difference of shrinkage stress between the central connector of the existing capacitor and the epoxy resin on the outer edge of the ceramic sheet is solved.

【技术进行摇动总结】
双瓷片耦合陶瓷电容
专利关涉一种耦合陶瓷电容。,更关涉一种双瓷片耦合陶瓷电容。
技术引见
耦合陶瓷电容是一种用于阁下紧张电器的手段。,可用于打电话者显示。、电容分割者和产地放电灵敏元件出价检测射击,如此。当耦合陶瓷电容接在阁下紧张指挥上时,直线切断支集阁下紧张,绝缘或隔热的datum的复数击穿风险。进线电报、电容分割者、产地放电灵敏元件和休息用仪器装备属于附件EQUI。用户需求附带方法不冲撞保安的运转,如此,耦合陶瓷电容及其封装的终极制造,需求交流压力输送、产地放电等配额应高于次要方法,干杯体系不变的运转。图1为单瓷片耦合陶瓷电容,该电容包罗作为手段的瓷片、镀在瓷片两只是面上的银膜电极连同衔接在银膜电极两端的电极柱。瓷片是耦合陶瓷电容的次要绝缘或隔热的datum的复数体。通常,单瓷片耦合陶瓷电容那就够了绥靖行标所需求的交流压力输送和局放的需求,除了一旦瓷片或瓷片四周的用于封装的环氧树脂被超矛盾击穿,电容适宜毛病源,能造成短路事变。采取两片瓷片并联,它可以进步电容的阻力。。图2-6为目前的的双瓷片耦合陶瓷电容的妥协示意图。详细地,双瓷片耦合陶瓷电容的电极衔接方法有:一设计-两个瓷片直线切断焊而成(图2);软衔接式-两个瓷片电极暗中焊有条铜丝(图3);杠铃式(图4);罩极/铜柱式-瓷片镶在罩极式电极的浅坑内,两个瓷片的罩极式电极由中部铜柱衔接(图5);罩极/直筒式-瓷片镶在罩极式电极的浅坑内,两个瓷片的罩极式电极以宽打期限直径衔接(图6)。灵敏元件是由电容封装的制造。。详细地,灵敏元件是集中:不乱地集中或指向:电容和高频检测元件,那时的将使变得温和或温柔环氧树脂充注铸模。由树脂制成。环氧树脂联合时契约,电极衔接器(软衔接器)、杠铃式、罩极/铜柱式)外的环氧树脂厚度远比瓷片分界线外厚,契约差,其应力差可使瓷片分界线的环氧树脂发作不重要的翻开。瓷片分界线是电力线汰选而且急剧倒退的部位,翻开触发某事产地放电。集成电容高萎靡不振电极露出裂口,外电场高萎靡不振端暗射中靶子间隔,轻易闪络。软衔接式电容需求将瓷片识别集中:不乱地集中或指向:在灵敏元件铸模的两端,阁下和直径有限的事物的灵敏元件,高频检测单元应集中:不乱地集中或指向:在铸模共计。,无法将瓷片集中:不乱地集中或指向:在共计;同时铜丝与瓷片分界线的环氧树脂契约应力差最大,轻易发作产地放电。杠铃式电容中部铜柱部位与瓷片分界线的环氧树脂契约应力差很大,轻易发作产地放电。堑壕盖电极的外分界线和,两种环氧树脂暗射中靶子契约应力差很大,憎恨,但无力的发作产地放电。。错误是免得电力机械中止任务,当灵敏元件的事件温度降低-20 C或以下时,环氧树脂、铜、瓷片三者的线胀性差会将环氧树脂产地苦恼,当电源重行电镀时会发作产地放电。。罩极/环形柱电容的衔接切断(环形柱)可以是,它也可以切断洞。,用冲出衔接。盖极/桶电容缺少软衔接典型、带刺和涂盖层杆/铜柱四周环氧树脂厚度大于正常,还处理了瓷片分界线电场畸变的成绩,但焊面积大。、直筒障碍焊时另加高温一样发送信号到总计达焊面(在高温发送信号不一样的成绩),在非常零件中造成焊料和银膜再溶化,有些切断太低了。,瓷片与电极暗中轻易停止。如此,需求一种时新的耦合陶瓷电容。,以处理中部衔接件与瓷片宽打期限环氧树脂契约应力差大、瓷片分界线产地放电、焊折术射中靶子不一样热道成绩,进步耦合陶瓷电容的耐电性和耐候性。
在附近技术进行的认真思考
处理前述的技术成绩,专利出价了一种耦合陶瓷电容。,包罗互相一致且成对的设置的两个瓷片、涂布在瓷片左右外观的银膜电极、设置在两个瓷片暗射中靶子电极衔接件连同设置在两个瓷片外侧的电极柱;进入,电极衔接件为与瓷片帮派设置且用于将两个瓷片的银膜电极电衔接的桶,气缸直径为d。,瓷片的直径为D,进入,2/3D<d<D。偏爱的事物地,桶的外壁到瓷片宽打期限的间隔为L=2mm-4mm,更最优化地,桶的外壁到瓷片宽打期限的间隔为L=3mm。偏爱的事物地,就是这样桶是黄铜的。。自然,筒体datum的复数也可用作其它导电datum的复数。。偏爱的事物地,筒肉体的厚d2=1mm-3mm。更最优化地,筒肉体的厚d2=2mm。在这种情况下,由于气缸壁较比薄、完整表露的焊位,保温装置焊时的热一样性,焊品质优于其它衔接方法。,合格率明显进步。偏爱的事物地,环形柱端面的外侧形成物第一带圆形的斜面。。偏爱的事物地,圆角半径R或45度斜面。更最优化地,圆角半径R或45度斜面1mm。在这种情况下,桶可以以端面宽1mm的戒指与瓷片上的银膜电极尝,缩减焊面积、锡银熔合的简易把持。偏爱的事物地,气缸壁上有一些一样数组的孔。。筒壁开孔可以戒除筒与瓷片暗中焊缝镜子破裂了,环氧树脂可采取太空倾注工艺品使充满。。偶数的环氧树脂不克不及完整临时学的气缸内部的的余地,由于筒体内的等电位,无力的有产地放电。。可停飞局放灵敏元件的使勃起方法(诞、挂、支架)至灵敏元件分量、电影力和震动需求,控制力两种环氧树脂使充满工艺品,选择第一圆筒作为使靠近圆筒或翻开的穿过圆筒。偏爱的事物地,就是这样洞的身材是平方的。、正方形、方块、龟裂状、长圆和圆经过。开孔光圈、应戒除位和密度在EP和谐发作气泡或露出裂口。、环氧液位爬坡到筒的上时丢弃露出裂口层、戒除龋洞。偏爱的事物地,两边孔的轴心国不一致。,左右两端的孔与端面相切。。偏爱的事物地,筒体用M-T20焊膏焊在银膜电极上。。再者,所述瓷片的侧壁上形成物有环状吹长笛。吹长笛的功能是扩大从瓷片上面银膜到上面银膜暗射中靶子爬电间隔。当休息参量相当时,爬电间隔越大,产地放电及压力输送配额较高。本专利的双瓷片耦合陶瓷电容能运用在10kV矛盾次序的局放灵敏元件上。取慢着三项效果。:率先,保安的掷还取慢着打破。。将单陶瓷反而双陶瓷,少许陶瓷片的击穿生效,不冲撞次要方法的保安的不乱运转。,权力一向在竭力的N-1保安的标准。二是进步灵敏元件的阻力。。第三,进步了灵敏元件的耐候性。。拿 ... 来说,中国1971境内西南、中国1971西北地区的使度过夏季大气温度可以降到-30摄氏温度。,用本专利的电容封装的局放灵敏元件可耐药量-30℃~+85℃高高温散布,相称我国使度过夏季泊车高温、使度过夏季高温叠加区温升事件可恶的。随附的拔出阐明专利将被。进入:图1为目前的技术射中靶子单瓷片电容的妥协示意图;图2是目前的技术中集成电容的示意图。;图3是软衔接电容妥协示意图;图4是先于第一杠铃衔接电容的示意图。;图5是盖杆/铜柱衔接电容的示意图;图6是盖杆/直筒衔接电容的示意图;图7是大直径外壳妥协示意图。;图8是大直径喉道妥协示意图。;图9是大直径圆筒的三维吼叫图。在拔出中,相等的数量切断运用相等的数量的求教于数字。拔出归咎于按实践刮治术绘制的。。附图监视阐明:100-瓷片;101-吹长笛;200银膜电极;300-电极衔接件;301-孔;400-电极柱;R缸端倒棱;D1-桶与瓷片暗射中靶子焊宽度;D2筒肉体的厚;L-桶外壁到瓷片宽打期限的间隔;D缸直径;D-瓷片的直径。专利将增进解说与ACC关于的成绩。。如图7和9所示,本专利出价了一种双瓷片耦合陶瓷电容,该双瓷片耦合陶瓷电容包罗互相一致且成对的设置的两个瓷片100、涂布在瓷片100左右外观的银膜电极200、设置在两个瓷片100之本文档因为技高网
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【技术备款以支付点】
1。耦合陶瓷电容,包罗互相一致且成对的设置的两个瓷片、涂布在所述瓷片左右外观的银膜电极、设置在所述两个瓷片暗射中靶子电极衔接件连同设置在所述两个瓷片外侧的电极柱;其特点相信,所述电极衔接件为与所述瓷片帮派设置且用于将所述两个瓷片的银膜电极电衔接的桶,所述气缸直径为d。,所述瓷片的直径为D,进入,2/3D<d<D。

【技术特点总结】
1。耦合陶瓷电容,包罗互相一致且成对的设置的两个瓷片、涂布在所述瓷片左右外观的银膜电极、设置在所述两个瓷片暗射中靶子电极衔接件连同设置在所述两个瓷片外侧的电极柱;其特点相信,所述电极衔接件为与所述瓷片帮派设置且用于将所述两个瓷片的银膜电极电衔接的桶,所述气缸直径为d。,所述瓷片的直径为D,进入,2/3D<d<D。2。图1所示的耦合陶瓷电容,其特点相信,所述桶的外壁到所述瓷片宽打期限的间隔为L=2mm-4mm。三。图1所示的耦合陶瓷电容,其特点相信,所述就是这样桶是黄铜的。。4。图1所示的耦合陶瓷电容,其特点相信,所述筒肉体的厚d2=1mm-3mm。5。停飞标题需求4所述的耦合陶瓷电容。

【专利属性】
技术研究与开发参谋:丁振,陈章生,吴敏清,
适合(专利权)人:上海方能自动化体系技术有限的事物公司,
典型:创造
在全国范围内省市:上海,31