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双瓷片耦合陶瓷电容器制造技术

日期:2019-06-07   关注热度:℃  所属栏目: 公司新闻

本想出的办法专利证赡养了一种耦合陶瓷电容。,包孕互相关联的事物一致且成双设置的两个瓷片、涂布在所述瓷片左右边线的银膜电极、设置在所述两个瓷片暗打中电极衔接件和设置在所述两个瓷片外侧的电极桩。电极衔接件为与所述瓷片同轴地设置且用于将所述两个瓷片的银膜电极电衔接的圆筒状物。气缸直径为d。,瓷片的直径为D,国内的的,2/3D<d<D。专利证的耦合陶瓷电容的电极衔接器,由于汽缸的直径更大,处理了现存的电容的中央的衔接件与瓷片宽打期限环氧树脂收回应力差的成绩。

The invention provides a coupling ceramic capacitor, which comprises two ceramic plates arranged in parallel and in pairs, a silver film electrode coated on the upper and lower surfaces of the ceramic plates, an electrode connector arranged between the two ceramic plates, and an electric terminal arranged on the outer side of the two ceramic 盘子。 The electrode connector is a cylinder coaxially arranged with the ceramic sheet and used for electrically connecting the silver film electrodes of the two ceramic 被单。 The diameter of cylinder is d, and the diameter of porcelain sheet is D, of which 2/3D is less than d < D. The electrode connector of the coupling ceramic capacitor of the present invention is a large diameter cylinder structure. Because the diameter of the cylinder is large, the problem of the difference of shrinkage stress between the central connector of the existing capacitor and the epoxy resin on the outer edge of the ceramic sheet is solved.

【技术履行行动总结】
双瓷片耦合陶瓷电容
专利证触及一种耦合陶瓷电容。,次要地触及一种双瓷片耦合陶瓷电容。
技术绍介
耦合陶瓷电容是一种用于压服电器的使勃起。,可用于访问者显示。、电容分割者和产地放电唱机唱头赡养检测发令枪声,乃。当耦合陶瓷电容接在压服电导体上时,直率的生育压服,绝缘或隔热的适当人选击穿风险。进线电报、电容分割者、产地放电唱机唱头和静止工具属于附件EQUI。用户查问附带使勃起不动机避孕套运转,乃,耦合陶瓷电容及其封装的终极作品,查问交流挤压、产地放电等规范应高于次要使勃起,誓言体系常客运转。图1为单瓷片耦合陶瓷电容,该电容包孕作为非传导性的的瓷片、镀在瓷片两正确的面上的银膜电极和衔接在银膜电极两端的电极桩。瓷片是耦合陶瓷电容的次要绝缘或隔热的适当人选体。通常,单瓷片耦合陶瓷电容那就够了满意的行标所查问的交流挤压和局放的查问,又一旦瓷片或瓷片四周的用于封装的环氧树脂被超压力击穿,电容变成毛病源,可能性造成短路事变。采取两片瓷片连续,它可以变高电容的阻力。。图2-6为现存的的双瓷片耦合陶瓷电容的体系示意图。详细地,双瓷片耦合陶瓷电容的电极衔接方法有:一时髦-两个瓷片直率的焊而成(图2);软衔接式-两个瓷片电极暗中焊有一转铜丝(图3);杠铃式(图4);罩极/铜柱式-瓷片镶在罩极式电极的浅坑内,两个瓷片的罩极式电极由中央的铜柱衔接(图5);罩极/直筒式-瓷片镶在罩极式电极的浅坑内,两个瓷片的罩极式电极以宽打期限直径衔接(图6)。唱机唱头是由电容封装的作品。。详细地,唱机唱头是常作复合词电容和高频检测元件,后来地将感情上变得温和环氧树脂汇集以图案装饰。由树脂制成。环氧树脂联合时收回,电极衔接器(软衔接器)、杠铃式、罩极/铜柱式)外的环氧树脂厚度远比瓷片突出的边沿外厚,收回差,其应力差可使瓷片突出的边沿的环氧树脂产生小不点儿说。瓷片突出的边沿是电力线浓缩的而且急剧掉换的部位,说动机产地放电。集成电容高高压电极步调,外电场高高压端暗打中间隔,轻易闪络。软衔接式电容必要将瓷片识别常作复合词在唱机唱头以图案装饰的两端,高尚的和直径限定的唱机唱头,高频检测单元应常作复合词在以图案装饰生根。,无法将瓷片常作复合词在生根;同时铜丝与瓷片突出的边沿的环氧树脂收回应力差最大,轻易产生产地放电。杠铃式电容中央的铜柱部位与瓷片突出的边沿的环氧树脂收回应力差很大,轻易产生产地放电。外衣布料上衣料盖电极的外突出的边沿和,两种环氧树脂暗打中收回应力差很大,尽管,但不克不及的产生产地放电。。错误是即苦电力机械中止任务,当唱机唱头的事件温度在底部的-20 C或以下时,环氧树脂、铜、瓷片三者的线胀性差会将环氧树脂产地裂痕,当电源重行使电气化时会产生产地放电。。罩极/环形柱电容的衔接分岔(环形柱)可以是,它也可以分岔挖出。,用带螺帽的螺栓衔接。盖极/圆筒状物电容缺乏软衔接典型、带刺和洒上杆/铜柱四周环氧树脂厚度大于正常,还处理了瓷片突出的边沿电场畸变的成绩,但焊面积大。、直筒障碍焊时另加高温等式投递到全体数量焊面(在高温投递不等式的成绩),在相当多的零件中造成焊料和银膜过分的溶化,有些分岔太低了。,瓷片与电极暗中轻易降下。乃,必要一种时新的耦合陶瓷电容。,以处理中央的衔接件与瓷片宽打期限环氧树脂收回应力差大、瓷片突出的边沿产地放电、焊诉讼程序打中不等式换热成绩,变高耦合陶瓷电容的耐电性和耐候性。
活动着的情况技术履行的慎重的
处理是你这么说的嘛!技术成绩,专利证赡养了一种耦合陶瓷电容。,包孕互相关联的事物一致且成双设置的两个瓷片、涂布在瓷片左右边线的银膜电极、设置在两个瓷片暗打中电极衔接件和设置在两个瓷片外侧的电极桩;国内的的,电极衔接件为与瓷片同轴地设置且用于将两个瓷片的银膜电极电衔接的圆筒状物,气缸直径为d。,瓷片的直径为D,国内的的,2/3D<d<D。偏爱的事物地,圆筒状物的外壁到瓷片宽打期限的间隔为L=2mm-4mm,更最优化地,圆筒状物的外壁到瓷片宽打期限的间隔为L=3mm。偏爱的事物地,刚过去的圆筒状物是黄铜的。。自然,筒体适当人选也可用作其它导电适当人选。。偏爱的事物地,筒躯体的厚d2=1mm-3mm。更最优化地,筒躯体的厚d2=2mm。在这种情况下,由于气缸壁相对地薄、完整表露的焊获名次,保温器焊时的变暖等式性,焊弥撒曲优于其它衔接方法。,合格率明显变高。偏爱的事物地,环形柱端面的外侧身材一任一某一带圆形的斜面。。偏爱的事物地,圆角半径R或45度斜面。更最优化地,圆角半径R或45度斜面1mm。在这种情况下,圆筒状物可以以端面宽1mm的拳击场与瓷片上的银膜电极触点,缩减焊面积、锡银熔合的简易把持。偏爱的事物地,气缸壁上有各自的等式打扮的孔。。筒壁开孔可以戒筒与瓷片暗中焊缝开瓶,环氧树脂可采取分歧倾手法填。。即苦环氧树脂不克不及完整填饱气缸国内的的消失,由于筒体内的等电位,不克不及的有产地放电。。可依据局放唱机唱头的使勃起方法(尽成画饼、悬挂的样子、排除)至唱机唱头分量、修剪力和震动查问,大师两种环氧树脂填手法,选择一任一某一汽缸作为使靠近汽缸或翻开的穿过汽缸。偏爱的事物地,刚过去的洞的现象是三人一组的。、正方形、用钻石装饰的、龟裂状、长圆和圆经过。开孔隙缝、应戒获名次和密度在EP音延产生气泡或分歧。、环氧液位占领到筒的最大的时留下分歧层、戒龋洞。偏爱的事物地,两边孔的车轴不想法、意见等使相等。,左右两端的孔与端面相切。。偏爱的事物地,筒体用M-T20焊膏焊在银膜电极上。。而且,所述瓷片的侧壁上身材有环状刻凹槽。刻凹槽的功能是增大从瓷片上面银膜到上面银膜暗打中爬电间隔。当静止参量相当时,爬电间隔越大,产地放电及挤压规范较高。本专利证的双瓷片耦合陶瓷电容能适用在10kV压力依等级排列的局放唱机唱头上。取慢着三项效果。:率先,避孕套小平面取慢着打破。。将单陶瓷代替双陶瓷,无论哪一个陶瓷片的击穿减轻,不动机次要使勃起的避孕套不乱运转。,力量一向在出力的N-1避孕套标准。二是变高唱机唱头的阻力。。第三,变高了唱机唱头的耐候性。。譬如,奇纳河境内西南、奇纳河西北地区的冬季的直减率可以降到-30摄氏温度。,用本专利证的电容封装的局放唱机唱头可耐药量-30℃~+85℃高高温附近,健壮的我国冬季的泊车高温、全盛时期高温叠加区温升事件令人作呕的。随附的图样阐明专利证将被。国内的的:图1为现存的技术打中单瓷片电容的体系示意图;图2是现存的技术中集成电容的示意图。;图3是软衔接电容体系示意图;图4是事先一任一某一杠铃衔接电容的示意图。;图5是盖杆/铜柱衔接电容的示意图;图6是盖杆/直筒衔接电容的示意图;图7是大直径外壳体系示意图。;图8是大直径喉道体系示意图。;图9是大直径圆筒的三维投弹于图。在图样中,使相等分岔应用使相等的参考书数字。图样责怪按实践除绘制的。。附图标志阐明:100-瓷片;101-刻凹槽;200银膜电极;300-电极衔接件;301-孔;400-电极桩;R缸端切面;D1-圆筒状物与瓷片暗打中焊宽度;D2筒躯体的厚;L-圆筒状物外壁到瓷片宽打期限的间隔;D缸直径;D-瓷片的直径。专利证将更多解说与ACC关心的成绩。。如图7和9所示,本专利证赡养了一种双瓷片耦合陶瓷电容,该双瓷片耦合陶瓷电容包孕互相关联的事物一致且成双设置的两个瓷片100、涂布在瓷片100左右边线的银膜电极200、设置在两个瓷片100之本文档源自技高网
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【技术维护点】
1。耦合陶瓷电容,包孕互相关联的事物一致且成双设置的两个瓷片、涂布在所述瓷片左右边线的银膜电极、设置在所述两个瓷片暗打中电极衔接件和设置在所述两个瓷片外侧的电极桩;其特点符合,所述电极衔接件为与所述瓷片同轴地设置且用于将所述两个瓷片的银膜电极电衔接的圆筒状物,所述气缸直径为d。,所述瓷片的直径为D,国内的的,2/3D<d<D。

【技术特点总结】
1。耦合陶瓷电容,包孕互相关联的事物一致且成双设置的两个瓷片、涂布在所述瓷片左右边线的银膜电极、设置在所述两个瓷片暗打中电极衔接件和设置在所述两个瓷片外侧的电极桩;其特点符合,所述电极衔接件为与所述瓷片同轴地设置且用于将所述两个瓷片的银膜电极电衔接的圆筒状物,所述气缸直径为d。,所述瓷片的直径为D,国内的的,2/3D<d<D。2。图1所示的耦合陶瓷电容,其特点符合,所述圆筒状物的外壁到所述瓷片宽打期限的间隔为L=2mm-4mm。三。图1所示的耦合陶瓷电容,其特点符合,所述刚过去的圆筒状物是黄铜的。。4。图1所示的耦合陶瓷电容,其特点符合,所述筒躯体的厚d2=1mm-3mm。5。依据头衔的查问4所述的耦合陶瓷电容。

【专利证属性】
技术研究与开发参谋:丁振,陈章生,吴敏清,
推荐(专利权)人:上海方能自动化体系技术限定公司,
典型:想出的办法
全国的省市:上海,31